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[Mosys] MoSys推出新的QUAZAR QPR系列低成本,四分區速率SRAM記憶體芯片,目的在加速INTEL和XILINX FPGA的設計

MoSys,Inc.(NASDAQ:MOSY)致力於加速數據智能,並提供半導體和IP解決方案,可實現對雲,網絡,安全性和通信系統的快速及智能數據處理。此次,推出了新的記憶體解決方案,QUAZAR系列。主要是針對FPGA的系統進行了優化, 提供了低成本,超高速的SRAM記憶體器件。

MoSys QUAZAR記憶體達到了成本點,這是之前用同樣的速度及容量的記憶體所無法達成的。 利用其1T記憶體單元以及先進高密度和高速的記憶體架構的設計,成功的拓展其獨特的,多分區的記憶體系列,其中包括帶寬引擎(BE2 / 3和PHE)器件,以及現在的新產品 – QUAZAR器件。 除了IC之外,MoSys還提供了RTL記憶體控制器,該控制器提供了類似於SRAM的接口,從而簡化了設計工作。

主要的產品優勢 :
  • 不到類似於QDR記憶體器件成本的一半
  • 4-8倍 QDR容量 - 567Mb和1Gb內存選項
  • 單個器件取代了多個QDR器件
  • 每個器件上有多個獨立的隨機存取SRAM
  • tRC : 3.2ns
  • 與QDR的性能相當
  • 帶寬高達640Gb /秒,字寬高達576b
  • 僅需32個引腳即可連接到FPGA-簡化了板子信號路由
  • 直接連接到INTEL(Altera)和XILINX 的FPGA
  • MoSys提供的FPGA RTL 記憶體控制器

QUAZAR 器件 :
  • QPR4 IC
    • DEEP MODE - 4 SRAMs of 2M x 72b
    • WIDE MODE - 8 SRAMS of 1M x72b
  • QPR8 IC
    • DEEP MODE - 4 SRAMs of 4M x 72b
    • WIDE MODE - 8 SRAMSs of 2M x72b
MoSys的首席技術官Michael Miller指出:“當今的記憶體設計被認為是系統級的元素,所包含的內容遠遠超出器件本身。 “ MoSys能夠利用其對內存和數據的全面系統級的認知,為系統架構師和設計人員提供一種極低成本的解決方案,僅用1顆MoSys的器件相當於可以取代4到8顆的QDR記憶體器件。”

MoSys的QPR內存技術具有允許同時並行訪問內存的多個分區的結構。 每個讀取或寫入周期最多允許訪問576位。 高性能接口,更大的密度和多個分區一起工作,以支持帶有一個QPR器件的FPGA中的多個獨立功能區塊。 MoSys MSQ220和MSQ230 QPR器件非常適合於隨機訪問應用。 MoSys還提供了可選擇的FPGA RTL記憶體控制器,以簡化與其大容量567Mb或1Gb器件的接口。

主要的目標應用是以FPGA為主,涵蓋了廣泛的市場,包括測試和測量,5G網絡,路由器,交換,安全性(防火牆,ACL,DDoS,IPS和WAF),計算存儲,數據庫加速,大數據,航太和 國防,高級的視頻,高性能計算,機器學習和人工智能以及其他數據驅動領域。

有關詳情, 請連結 : 
https://bit.ly/3ecK4X1 

關於MoSys, Inc.

MoSys,Inc.(NASDAQ:MOSY)專注於加速數據智能,提供矽芯片和IP解決方案,可為包括云網絡,安全性,5G網絡,智慧網卡(SmartNIC),測試和測量以及視頻系統。 MoSys的QUAZAR高速記憶體系列和BLAZAR加速器系列是具有無與倫比的智能,性能和容量的記憶體集成電路,可消除數據訪問瓶頸,從而在系統中提供速度和智能,包括從100G擴展到每秒多兆 (Multi-terabits) 位元的速度。 MoSys的STELLAR虛擬加速器引擎系列包括軟件,FPGA RTL和基於RISC的韌體,可加快應用程序的運行速度,並可在具有或不具有MoSys矽芯片的各種硬件配置中移植。有關更多信息,請訪問:www.mosys.com。